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第三代高壓超結(Super Junction)MOSFET技術

基于電荷平衡原理,在全面提升了功率MOSFET的導通特性和開關特性的基礎上,結合先進的深槽刻蝕工藝能力,新潔能推出了一系列Super Junction 功率MOSFET產品,已廣泛應用于光伏逆變、大功率電源、LED照明、手機充電器、筆記本適配器等領域。
   

通過優化器件結構設計,采用先進的工藝制造技術,新潔能最新推出了Super Junction MOSFET III 系列產品,具有更快的開關速度、更低的導通損耗,極低的柵極電荷Qg,實現了器件功率損耗更低,系統效率更高,雪崩耐量和ESD能力更優,器件應用可靠性更強。此外,第三代產品采用自主創新技術,優化了器件開關特性,在系統應用中具有更好的EMI表現,為系統設計提供了更大余量。


優勢與特點:

更低的Rsp,更低的柵極電荷,更低的開關損耗

更高的輕載效率,優化的體二極管特性,符合ROSH標準




與競爭對手參數對比優勢(NCE65T360K為例)


◆ SJ-MOS III 導通電阻Rdson較競爭對手最新同規格產品降低10%以上


 SJ-MOS III 柵極電荷Qg較競爭對手最新同規格產品降低30%


 SJ-MOS III 較競爭對手最新同規格產品的雪崩電流Ias能力


◆ SJ-MOS III 較競爭對手最新同規格產品的抗靜電ESD(HBM)能力高70%

   

典型應用電路


   
   
產品系列



650V SJ III 產品
↓800V SJ III 產品

 

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